Die Firma "Epiel", das einzige Unternehmen in Russland, das Epitaxiestrukturen herstellt, wurde zum Teilnehmer des V. Internationalen Forums "Mikroelektronik-2019", das am 30. September - 5. Oktober in Aluschta, Krim, stattfand.

Während des Forums haben Vertreter von "Epiel" die Berichte "Die Bildung der AlN-Übergangsschicht auf 3C-SiC/Si(111)-Templates mit der Ammoniak-Molekularstrahlepitaxie-Methode" und "Einfluss der Festphasenrekristallisation mit Doppelimplantation auf die Dichte der Strukturdefekte in ultradünnen Siliziumschichten auf Saphir" vorgestellt. Die Berichte sind Teil eines groß angelegten Projekts von "Epiel" JSC, das am Konsortium zur Entwicklung der Technologie für die Herstellung von Epitaxiestrukturen auf der Basis von Galliumnitrid teilnimmt.

Microelectronics Forum ist eine wichtige Kommunikationsplattform für die Diskussion der neuesten Technologie- und Markttrends im Bereich der Elektronik. Während der vierjährigen erfolgreichen Arbeit hat die Veranstaltung mehr als 1 Tausend Teilnehmer und 400 Firmen aus Russland, Weißrussland, Armenien, China und den USA zusammengebracht. Ihre Organisatoren sind NIIMA Progress JSC, NIIME JSC und NRU MIET. Die Veranstaltung wurde vom russischen Ministerium für Industrie und Handel, der Russischen Ingenieurunion, der Rostec State Corporation, Roselektronika und der Skolkovo Foundation unterstützt.

Über das Unternehmen

Epiel ist das einzige Unternehmen in Russland, das sich auf die Herstellung von Epitaxiestrukturen auf der Basis von Silizium und Saphir für eine breite Palette von Halbleiterbauelementen spezialisiert hat, darunter integrierte Schaltungen, diskrete Leistungsbauelemente und viele andere elektronische Komponenten.

Moderne Epitaxiestrukturen sind das Produkt fortschrittlicher Technik und hoher Technologien. Eine Silizium-Epitaxiestruktur ist ein dünner, runder Wafer aus hochreinem monokristallinem Silizium, auf dessen Oberfläche eine ultradünne Epitaxieschicht aus monokristallinem Silizium abgeschieden ist.

Silizium-Epitaxiestrukturen sind die Basis der Pyramide, auf der die moderne Radioelektronik aufgebaut ist, da sie das Grundmaterial für die Produktion einer Vielzahl von elektronischen Komponenten darstellen, die in der zivilen, militärischen und Weltraum-Elektronik verwendet werden.

Seit mehr als 20 Jahren deckt Epiel erfolgreich den Bedarf der nationalen und internationalen Elektronikindustrie an Epitaxiestrukturen. Die Produkte des Unternehmens werden von mehr als 50 Elektronikunternehmen in ganz Russland eingesetzt.

Produktion

Heute produziert "Epiel" erstklassige Silizium-Epitaxiestrukturen mit einem Durchmesser von 100, 150 und 200 mm, die an solche führenden mikroelektronischen Unternehmen wie "Mikron" und "Angstrem" unseres Landes und auch ins Ausland geliefert werden.

Auf der Basis dieser Strukturen werden weiterhin Mikroschaltungen hergestellt, die in elektronischen Geräten sowohl für Konsum- als auch für Spezialzwecke eingesetzt werden. Die bei Mikron hergestellten integrierten Schaltungen werden beispielsweise in kontaktlosen RFID-Tickets für das Moskauer Verkehrsnetz verwendet.

Die Bedürfnisse fast aller einheimischen Verbraucher zu befriedigen, ist eine äußerst schwierige Aufgabe, denn sie erfordert ein breites Spektrum an technologischen Fähigkeiten. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Silizium-Epitaxie haben die Spezialisten des Unternehmens eine Reihe von technologischen Prozessen entwickelt, die es ermöglichen, sowohl Standard- als auch Nicht-Standard-Epitaxiestrukturen in einem breiten Parameterbereich herzustellen. Die Kombination von hohem wissenschaftlichem Potential und breiten Produktionsmöglichkeiten macht "Epiel" zu einem einzigartigen Unternehmen in seinem Bereich nicht nur in Russland, sondern auch in der Welt.

Epitaxiestrukturen "Silizium auf Saphir" (SOS) sind eines der einzigartigen und vielversprechenden Produkte der Firma. Die Besonderheit dieser Strukturen besteht darin, dass die epitaktische Siliziumschicht auf dem Saphirsubstrat abgeschieden wird, das ein Isolator ist.

CNS-Strukturen werden bei der Herstellung von elektronischen Komponenten für zivile, militärische und Raumfahrtanwendungen eingesetzt. Insbesondere dienen sie als Basis für strahlenresistente integrierte Schaltungen, die in elektronischen Systemen von Raumfahrtgeräten und Kernkraftwerken sowie in Kommunikationsgeräten, Optoelektronik und spezieller Anwendungselektronik eingesetzt werden.

Darüber hinaus beteiligt sich Epiel an einem Konsortium zur Entwicklung der Technologie zur Herstellung von Epitaxiestrukturen auf der Basis von Galliumnitrid (GaN). Leistungs-GaN-Transistoren können in Spannungspulsumformern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Solarkraftwerken und Windgeneratoren sowie im Transportwesen eingesetzt werden. Ein besonderes Einsatzgebiet sind Hybrid- und Elektrofahrzeuge.

Innovative Entwicklung

"Epiel" betrachtet ständige Innovationen, die auf die Qualitätsverbesserung und die Entwicklung neuer Epitaxiestrukturen abzielen, als seine strategische Hauptausrichtung sowie die Entwicklung neuer Typen von Epitaxiestrukturen, um den zukünftigen Entwicklungsplänen der heimischen Verbraucher voraus zu sein.

In den letzten fünf Jahren hat das Unternehmen einen neuen Durchbruch in seiner Entwicklung erzielt, indem es das Projekt eines neuen Produktionsbereichs mit hochklassigen Anlagen realisiert hat. Die Umsetzung des Projekts erforderte erhebliche Investitionen in Ausrüstung, Reinraum und Infrastruktur. Dieses in Russland einzigartige Projekt ist von besonderer Bedeutung für die heimische Elektronikindustrie, da es eine solide Grundlage für ihre weitere Entwicklung schafft.