La empresa "Epiel", única empresa de Rusia que produce estructuras epitaxiales, se convirtió en participante del V Foro Internacional "Microelectrónica-2019", que se celebró del 30 de septiembre al 5 de octubre en Alushta (Crimea).

Durante el foro, los representantes de "Epiel" presentaron los informes "La formación de la capa de transición de AlN en plantillas 3C-SiC/Si(111) utilizando el método de epitaxia de haz molecular de amoníaco" y "Influencia de la recristalización en fase sólida con doble implantación en la densidad de los defectos estructurales en las capas ultrafinas de silicio sobre el zafiro". Los informes forman parte de un proyecto en gran escala del Centro de Servicios Conjuntos "Epiel", que participa en el consorcio para el desarrollo de tecnología para la producción de estructuras epitaxiales sobre la base del nitruro de galio.

El Foro de Microelectrónica es una importante plataforma de comunicaciones para debatir las últimas tendencias tecnológicas y de mercado en el ámbito de la electrónica. Durante cuatro años de exitosa labor, el evento ha reunido a más de 1.000 participantes y 400 empresas de Rusia, Belarús, Armenia, China y los Estados Unidos. Sus organizadores son NIIMA Progress JSC, NIIME JSC y NRU MIET. El evento fue apoyado por el Ministerio de Industria y Comercio de Rusia, la Unión de Ingenieros de Rusia, la Corporación Estatal Rostec, Roselektronika y la Fundación Skolkovo.

Acerca de la compañía

Epiel es la única empresa de Rusia especializada en la producción de estructuras epitaxiales a base de silicio y zafiro para una amplia gama de dispositivos semiconductores, incluidos circuitos integrados, dispositivos de alimentación discreta y muchos otros componentes electrónicos.

Las modernas estructuras epitaxiales son el producto de la ingeniería avanzada y las altas tecnologías. La estructura epitaxial de silicio es una oblea redonda y delgada de silicio monocristalino de alta pureza con una capa epitaxial ultrafina de silicio monocristalino depositada en su superficie.

Las estructuras epitaxiales de silicio se encuentran en la base de la pirámide sobre la que se construye la radioelectrónica moderna, ya que representan el material básico para la producción de una amplia gama de componentes electrónicos utilizados en la electrónica civil, militar y espacial.

Durante más de 20 años, Epiel ha satisfecho con éxito la demanda de estructuras epitaxiales de la industria electrónica nacional e internacional. Los productos de la empresa son utilizados por más de 50 empresas de electrónica en toda Rusia.

Producción

Hoy en día "Epiel" produce estructuras epitaxiales de silicio de clase mundial de 100, 150 y 200 mm de diámetro que se suministran a las principales empresas de microelectrónica como "Mikron" y "Angstrem" de nuestro país y también en el extranjero.

Además, sobre la base de estas estructuras se producen microcircuitos que se utilizan en dispositivos electrónicos tanto para el consumo como para fines especiales. Por ejemplo, los circuitos integrados producidos en Mikron se utilizan en los billetes de RFID sin contacto para la red de transporte de Moscú.

Satisfacer las necesidades de casi todos los consumidores domésticos es una tarea extremadamente difícil, porque requiere una amplia gama de capacidades tecnológicas. Con más de 30 años de experiencia en la epitaxia del silicio, los especialistas de la empresa han desarrollado una serie de procesos tecnológicos que permiten producir estructuras epitaxiales tanto estándar como no estándar en una amplia gama de parámetros. La combinación de un alto potencial científico y amplias oportunidades de producción hace que "Epiel" sea una empresa única en su esfera no sólo en Rusia sino también en el mundo.

Las estructuras epitaxiales "Silicio sobre Zafiro" (SOS) son uno de los productos únicos y prometedores de la empresa. La peculiaridad de estas estructuras es que la capa epitaxial de silicio se deposita en el sustrato de zafiro que es un aislante.

Las estructuras del SNC se utilizan en la producción de componentes electrónicos para aplicaciones civiles, militares y espaciales. En particular, sirven de base para los circuitos integrados resistentes a la radiación que se utilizan en los sistemas electrónicos de los equipos espaciales y las centrales nucleares, así como en los dispositivos de comunicación, la optoelectrónica y la electrónica de aplicaciones especiales.

Además, Epiel participa en un consorcio para el desarrollo de la tecnología de producción de estructuras epitaxiales basadas en el nitruro de galio (GaN). Los transistores de GaN de potencia pueden utilizarse en convertidores de impulsos de tensión, fuentes de alimentación ininterrumpida, plantas de energía solar y generadores eólicos y en el transporte. Un campo de aplicación especial son los vehículos híbridos y eléctricos.

Desarrollo innovador

"Epiel" considera que las constantes innovaciones encaminadas a mejorar la calidad y el desarrollo de nuevas estructuras epitaxiales son su principal orientación estratégica, así como el desarrollo de nuevos tipos de estructuras epitaxiales para adelantarse a los futuros planes de desarrollo de los consumidores domésticos.

En los últimos cinco años, la empresa ha logrado un nuevo avance en su desarrollo al poner en práctica el proyecto de una nueva zona de producción equipada con instalaciones de alta calidad. La ejecución del proyecto requirió importantes inversiones en equipo, sala limpia e infraestructura. Este proyecto, único en Rusia, es de particular importancia para la industria electrónica nacional, ya que establece una base sólida para su desarrollo ulterior.