Firma "Epiel", jedyne przedsiębiorstwo w Rosji produkujące struktury epitaksjalne, została uczestnikiem V Międzynarodowego Forum "Mikroelektronika-2019", które odbyło się w dniach 30 września - 5 października w Ałuszcie na Krymie.

Podczas forum przedstawiciele "Epiel" przedstawili raporty "Tworzenie warstwy przejściowej AlN na szablonach 3C-SiC/Si(111) przy użyciu metody epitaksji wiązki molekularnej amoniaku" i "Wpływ rekrystalizacji fazy stałej z podwójną implantacją na gęstość wad strukturalnych w ultracienkich warstwach krzemu na szafirze". Raporty są częścią zakrojonego na szeroką skalę projektu "Epiel" JSC, który uczestniczy w konsorcjum na rzecz rozwoju technologii produkcji struktur epitaksjalnych na bazie azotku galu.

Forum Mikroelektroniki jest główną platformą komunikacyjną do dyskusji o najnowszych trendach technologicznych i rynkowych w dziedzinie elektroniki. W ciągu czterech lat udanej pracy impreza zgromadziła ponad 1 tys. uczestników i 400 firm z Rosji, Białorusi, Armenii, Chin i USA. Jego organizatorami są NIIMA Progress JSC, NIIME JSC i NRU MIET. Wydarzenie zostało wsparte przez Ministerstwo Przemysłu i Handlu Rosji, Rosyjską Unię Inżynieryjną, Rostecką Korporację Państwową, Roselektronikę i Fundację Skolkovo.

O firmie

Epiel jest jedyną firmą w Rosji specjalizującą się w produkcji struktur epitaksjalnych na bazie krzemu i szafiru dla szerokiej gamy urządzeń półprzewodnikowych, w tym układów scalonych, dyskretnych urządzeń zasilających i wielu innych elementów elektronicznych.

Nowoczesne konstrukcje epitaksjalne są produktem zaawansowanej inżynierii i wysokich technologii. Struktura epitaksjalna krzemu jest cienką, okrągłą płytką z monokrystalicznego krzemu o wysokiej czystości z ultra cienką epitaksjalną warstwą monokrystalicznego krzemu osadzoną na jej powierzchni.

Krzemowe struktury epitaksjalne znajdują się u podstawy piramidy, na której zbudowana jest nowoczesna radioelektronika, ponieważ stanowią one podstawowy materiał do produkcji szerokiej gamy elementów elektronicznych stosowanych w elektronice cywilnej, wojskowej i kosmicznej.

Od ponad 20 lat Epiel z powodzeniem zaspokaja zapotrzebowanie krajowego i międzynarodowego przemysłu elektronicznego na struktury epitaksjalne. Produkty firmy są wykorzystywane przez ponad 50 firm elektronicznych w całej Rosji.

Produkcja

Dzisiaj "Epiel" produkuje światowej klasy krzemowe struktury epitaksjalne o średnicy 100, 150 i 200 mm, które są dostarczane do takich wiodących firm mikroelektronicznych jak "Mikron" i "Angstrem" w naszym kraju i za granicą.

Dalej na bazie tych struktur produkowane są mikroukłady, które są stosowane w urządzeniach elektronicznych zarówno do celów konsumpcyjnych jak i specjalnych. Na przykład układy scalone produkowane w firmie Mikron są wykorzystywane w bezdotykowych biletach RFID dla moskiewskiej sieci transportowej.

Zaspokojenie potrzeb prawie wszystkich krajowych konsumentów jest niezwykle trudnym zadaniem, ponieważ wymaga szerokiego zakresu możliwości technologicznych. Posiadając ponad 30-letnie doświadczenie w epitaksji silikonowej, specjaliści firmy opracowali szereg procesów technologicznych, które umożliwiają produkcję zarówno standardowych, jak i niestandardowych struktur epitaksjalnych w szerokim zakresie parametrów. Połączenie wysokiego potencjału naukowego i szerokich możliwości produkcyjnych sprawia, że "Epiel" jest unikalną firmą w swojej dziedzinie nie tylko w Rosji, ale i na świecie.

Struktury epitaksjalne "Silicon on Sapphire" (SOS) są jednym z unikalnych i obiecujących produktów firmy. Osobliwością tych struktur jest to, że warstwa epitaksjalna krzemu osadza się na szafirowym podłożu, które jest izolatorem.

Struktury OUN są wykorzystywane w produkcji komponentów elektronicznych do zastosowań cywilnych, wojskowych i kosmicznych. W szczególności służą one jako podstawa dla odpornych na promieniowanie układów scalonych, które są wykorzystywane w systemach elektronicznych urządzeń kosmicznych i elektrowni jądrowych, jak również w urządzeniach komunikacyjnych, optoelektronice i elektronice specjalnego zastosowania.

Ponadto Epiel bierze udział w konsorcjum na rzecz rozwoju technologii produkcji struktur epitaksjalnych na bazie azotku galu (GaN). Tranzystory Power GaN mogą być stosowane w przetwornikach impulsów napięciowych, zasilaczach bezprzerwowych, elektrowniach słonecznych i wiatrowych oraz w transporcie. Szczególnym obszarem zastosowań są pojazdy hybrydowe i elektryczne.

Innowacyjny rozwój

"Epiel" uważa ciągłe innowacje mające na celu poprawę jakości i rozwój nowych struktur epitaksjalnych za swój główny kierunek strategiczny, jak również rozwój nowych rodzajów struktur epitaksjalnych za wyprzedzające przyszłe plany rozwoju krajowych konsumentów.

W ciągu ostatnich pięciu lat spółka dokonała nowego przełomu w swoim rozwoju, realizując projekt nowego obszaru produkcyjnego wyposażonego w wysokiej klasy urządzenia. Realizacja projektu wymagała znacznych inwestycji w sprzęt, pomieszczenia czyste i infrastrukturę. Projekt ten, jedyny w swoim rodzaju w Rosji, ma szczególne znaczenie dla krajowego przemysłu elektronicznego, ponieważ stanowi solidny fundament dla jego dalszego rozwoju.