Epiel" società, l'unica impresa in Russia che produce strutture epitassiali, è diventato il partecipante del V Forum Internazionale "Microelettronica-2019" che si è tenuto il 30 settembre - 5 ottobre ad Alushta, Crimea.

Durante il forum i rappresentanti di "Epiel" hanno consegnato le relazioni "La formazione dello strato di transizione AlN su modelli 3C-SiC/Si(111) con il metodo dell'epitassia a fascio molecolare di ammoniaca" e "Influenza della ricristallizzazione in fase solida con doppio impianto sulla densità dei difetti strutturali negli strati ultrasottili di silicio su zaffiro". Le relazioni fanno parte di un progetto su larga scala della JSC "Epiel" che partecipa al consorzio sullo sviluppo della tecnologia per la produzione di strutture epitassiali sulla base del nitruro di gallio.

Microelectronics Forum è un'importante piattaforma di comunicazione per discutere le ultime tendenze tecnologiche e di mercato nel campo dell'elettronica. In quattro anni di lavoro di successo l'evento ha riunito oltre 1.000 partecipanti e 400 aziende provenienti da Russia, Bielorussia, Armenia, Cina e USA. I suoi organizzatori sono NIIMA Progress JSC, NIIME JSC e NRU MIET. L'evento è stato sostenuto dal Ministero dell'Industria e del Commercio russo, dall'Unione Russa di Ingegneria, dalla Rostec State Corporation, dalla Roselektronika e dalla Fondazione Skolkovo.

Informazioni sull'azienda

Epiel è l'unica azienda in Russia specializzata nella produzione di strutture epitassiali basate su silicio e zaffiro per una vasta gamma di dispositivi a semiconduttore, compresi circuiti integrati, dispositivi di potenza discreti e molti altri componenti elettronici.

Le moderne strutture epitassiali sono il prodotto dell'ingegneria avanzata e delle alte tecnologie. La struttura epitassiale in silicio è un wafer sottile e rotondo di silicio monocristallino di elevata purezza con uno strato epitassiale ultrasottile di silicio monocristallino depositato sulla sua superficie.

Le strutture epitassiali di silicio sono alla base della piramide su cui è costruita la moderna radioelettronica in quanto rappresentano il materiale di base per la produzione di una vasta gamma di componenti elettronici utilizzati nell'elettronica civile, militare e spaziale.

Da oltre 20 anni Epiel soddisfa con successo la richiesta di strutture epitassiali da parte dell'industria elettronica nazionale ed internazionale. I prodotti dell'azienda sono utilizzati da più di 50 aziende elettroniche in tutta la Russia.

Produzione

Oggi "Epiel" produce strutture epitassiali in silicio di classe mondiale di 100, 150 e 200 mm di diametro che vengono fornite ad aziende microelettroniche leader come "Mikron" e "Angstrem" del nostro paese e anche all'estero.

Inoltre, sulla base di queste strutture vengono prodotti microcircuiti che vengono utilizzati in dispositivi elettronici sia per scopi di consumo che speciali. Ad esempio, i circuiti integrati prodotti da Mikron sono utilizzati nei biglietti RFID senza contatto per la rete di trasporto di Mosca.

Soddisfare le esigenze di quasi tutti i consumatori nazionali è un compito estremamente difficile, perché richiede un'ampia gamma di capacità tecnologiche. Avendo più di 30 anni di esperienza nell'epitassia di silicio, gli specialisti dell'azienda hanno sviluppato una serie di processi tecnologici che consentono di produrre strutture epitassiali standard e non standard in un'ampia gamma di parametri. La combinazione di un elevato potenziale scientifico e di ampie opportunità di produzione fa di "Epiel" un'azienda unica nel suo genere non solo in Russia ma anche nel mondo.

Le strutture epitassiali "Silicon on Sapphire" (SOS) sono uno dei prodotti unici e promettenti dell'azienda. La particolarità di queste strutture è che lo strato epitassiale di silicio si deposita su un substrato di zaffiro che è un isolante.

Le strutture CNS sono utilizzate nella produzione di componenti elettronici per applicazioni civili, militari e spaziali. In particolare, servono come base per i circuiti integrati resistenti alle radiazioni che vengono utilizzati nei sistemi elettronici delle apparecchiature spaziali e delle centrali nucleari, così come nei dispositivi di comunicazione, nell'optoelettronica e nell'elettronica per applicazioni speciali.

Inoltre, Epiel partecipa al consorzio per lo sviluppo della tecnologia di produzione di strutture epitassiali basate sul nitruro di gallio (GaN). I transistor GaN di potenza possono essere utilizzati nei convertitori di impulsi di tensione, nei gruppi di continuità, nelle centrali solari, nei generatori eolici e nei trasporti. Un campo di applicazione speciale è quello dei veicoli ibridi ed elettrici.

Sviluppo innovativo

"Epiel" considera le costanti innovazioni finalizzate al miglioramento della qualità e allo sviluppo di nuove strutture epitassiali come il suo principale orientamento strategico, così come lo sviluppo di nuovi tipi di strutture epitassiali per anticipare i futuri piani di sviluppo dei consumatori domestici.

Negli ultimi cinque anni l'azienda ha fatto un nuovo passo avanti nel suo sviluppo avendo realizzato il progetto di una nuova area produttiva dotata di strutture di alta classe. La realizzazione del progetto ha richiesto notevoli investimenti in attrezzature, camere bianche e infrastrutture. Questo progetto, unico in Russia, è di particolare importanza per l'industria elettronica nazionale in quanto pone solide basi per il suo ulteriore sviluppo.