クロッカスナノエレクトロニクス

Crocus Nanoelectronicsは、90/55nmの設計基準を持つ300mmシリコンウェーハ上の電子部品を開発・製造しているロシアで唯一の企業です。

Crocus Nano Electronics社は、90/55nmの設計基準を持つ300mmシリコンウェーハ上の電子部品の開発とBEOL生産（生産の最終段階、ラインの後工程で技術的なオペレーションのフルサイクルを実施）に従事するロシアで唯一の企業です。また、ウェハ上に磁性層を塗布するためのエンジニアリングや工場サービス、革新的なタイプの不揮発性メモリをベースにした製品を潜在的な顧客に提供することができます。

同社は、MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）とRRAM（Resistive Random Access Memory）技術を用いた最新型の不揮発性メモリの生産と開発におけるロシアの技術リーダーです。同社のカタログには、RFIDおよびマイクロコントローラ、バイオエレクトロニクスチップ、MRAMおよびRRAMメモリチップ（組み込み型および自立型メモリ）、産業用電子機器用磁気センサ、通信機器、自動車および民生用電子機器などが含まれます。近代的な設備、高度な技術と能力を持つ同社は、300mmウェハーのBEOL受託製造サービスとプロセス開発も提供しています。
同社のパートナーには、以下のような大手技術企業やメーカーがあります。International Business Machines (米国)、Semiconductor Manufacturing International Corporation (中国)、Tower Semiconductors (イスラエル、日本)、Shanghai Huali Microelectronics Corporation (中国)、Adesto Technologies (米国)などの大手技術企業やメーカーと提携しています。
現在、同社の生産能力は月産4,000枚に達しています。生産設備の総面積は6.9千平方メートルです。

製品・サービス

Crocus Nano Electronics社の生産カタログには、MRAMおよびRRAMメモリチップ、磁気センサー、シリコンインターポーザー、バイオエレクトロニクスチップ、通信機器などが含まれています。MRAMとRRAMは次世代の不揮発性メモリ技術です。MRAMとRRAMは次世代の不揮発性メモリ技術であり、同社はMRAMとRRAMチップの開発と生産準備を行っている。MRAMチップは同社が開発したもので、記録密度は1～4メガビット、読み書き速度は35/90/120/150ナノ秒である。低消費電力で、データやプログラムの記録、バッファリング、データキャッシュに適している。この技術は、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップへの統合用に特別に設計されており、MRAMとRRAMチップは、フラッシュ、EEPROM、SRAMメモリ素子を置き換えることができます。MRAMでは、データはメモリ素子の磁気分極によって記録されるため、高性能、無制限の書き換えサイクル、20年間のエネルギーの非依存性が保証されます。MRAMメモリは、データロギング、プログラム、バッファリング、データキャッシング用に設計された低エネルギー消費のデバイスに最適です。 MRAMメモリセルの統合は、生産工程の最後（ラインのバックエンド）で行われます。このようにして、MRAMメモリは、どんな基本的なCMOSデバイスでも使用することができます。特に、この技術は容易に拡張可能で、幅広いアプリケーションに対応し、代替タイプの組み込みメモリを置き換えることができます。非標準的なソリューションのために、Crocus Nano Electronicsは、特殊な複雑な機能を持つMRAMユニット（モジュール）の開発を提供しています。